p-n জংশন ডায়োডের সম্মুখী ঝোঁক বৈশিষ্ট্য লেখচিত্র

উদ্দেশ্য

একটি সিলিকন p-n জংশন ডায়োডে সম্মুখী ঝোঁকের বিভব ধাপে ধাপে বাড়িয়ে প্রবাহ মাপা, I–V লেখচিত্র এঁকে নী (knee) বিভব ও গতীয় রোধ বের করা।

যন্ত্রপাতি ও উপকরণ

• সিলিকন ডায়োড (1N4007) Silicon diode
• ভোল্টমিটার (০–১ V) Voltmeter
• মিলিঅ্যামিটার (০–৫০ mA) Milliammeter
• রিওস্ট্যাট (বিভব বিভাজক) Rheostat as potential divider
• ব্যাটারি (৩ V) ও প্লাগ চাবি Battery & key
• সুরক্ষা রোধ (১০০ Ω) Protective resistor

তত্ত্ব

• p অংশ ব্যাটারির ধনাত্মক প্রান্তে আর n অংশ ঋণাত্মক প্রান্তে লাগালে ডায়োড সম্মুখী ঝোঁকে থাকে; তখন সংযোগস্থলের বিভব প্রাচীর কমে যায়।
• সিলিকন ডায়োডে প্রায় ০.৬–০.৭ V পর্যন্ত প্রবাহ খুবই কম; এই নী বিভব পেরোলেই প্রবাহ খুব দ্রুত (সূচকীয়ভাবে) বাড়ে।
• লেখচিত্রের খাড়া অংশে বিভবের সামান্য পরিবর্তন ও প্রবাহের পরিবর্তনের অনুপাতই গতীয় রোধ r = ΔV/ΔI; বিমুখী ঝোঁকে ভাঙন বিভবের নিচে প্রবাহ প্রায় শূন্য।

গতীয় রোধ r = ΔV / ΔI

সতর্কতা

• ডায়োডের সাথে সবসময় সুরক্ষা রোধ রাখো, নইলে বেশি প্রবাহে ডায়োড পুড়ে যায়।
• মিটারের + প্রান্ত ব্যাটারির + দিকে লাগাও; ডায়োডের সাদা দাগ (ক্যাথোড) ঋণাত্মক দিকে।
• বিভব ধীরে বাড়াও, ০.৭৫ V-এর বেশি দিও না।

ভিডিও